消息称美光启动垂直堆叠GDDR研发,样品或于2027年亮相
据报道,美光已启动一项全新研发计划,旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品,通过类似HBM的垂直堆叠技术,大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径,满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠,若进展顺利,首批测试样品最快将于2027年亮相。
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